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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52钟南山为什么被说成钟百亿％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益钟南山为什么被说成钟百亿。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入钟南山为什么被说成钟百亿增长。

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