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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2台积电是做什么的，台湾台积电是什么意思022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。台积电是做什么的，台湾台积电是什么意思p>

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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