大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义海（清洗）等收入增长。

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