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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一朵朵野花什么微风在田野里什么 朵朵野花迎着微风在田野里翩翩起舞是拟人句吗，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRA朵朵野花什么微风在田野里什么 朵朵野花迎着微风在田野里翩翩起舞是拟人句吗M （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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