大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对重孙子又叫什么，重孙的孙子叫什么美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致重孙子又叫什么，重孙的孙子叫什么00; line-height: 24px;'>重孙子又叫什么，重孙的孙子叫什么下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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