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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解)，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解 src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛爪zhua跟爪zhao的区别组词，爪zhua跟爪zhao的区别图解美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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