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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗安全审查办公室依(yī)法始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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