大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

数学中e等于多少，高中数学中e等于多少　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(数学中e等于多少，高中数学中e等于多少zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等数学中e等于多少，高中数学中e等于多少收入增长。

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