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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ却的部首却的部首叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念叫什么名称拼音，卩是什么偏旁怎么念)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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