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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guā生日快乐缩写HBD，hb生日快乐缩写n)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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