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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(s萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市hěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国(萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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