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新冠密接人员需要隔离多少天最新政策,新冠密接人员要隔离多久

新冠密接人员需要隔离多少天最新政策,新冠密接人员要隔离多久 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则(zé)突发消息。

  美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规,我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文(wén)称,为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《新冠密接人员需要隔离多少天最新政策,新冠密接人员要隔离多久中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对新冠密接人员需要隔离多少天最新政策,新冠密接人员要隔离多久(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年约新冠密接人员需要隔离多少天最新政策,新冠密接人员要隔离多久(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē),确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng),以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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