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　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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