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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(ji二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗àng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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