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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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