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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，币值是什么意思，硬币的币值是什么意思g>美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(g币值是什么意思，硬币的币值是什么意思òu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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