大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)1亿越南盾是富豪吗，1亿越南盾是富豪吗，越南打工一个月多少钱ne-height: 24px;'>1亿越南盾是富豪吗，越南打工一个月多少钱越南打工一个月多少钱汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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