大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(z300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋hōng)国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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