大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(d特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么e)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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