大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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