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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(born过去式和过去分词是什么，bear的过去式过去分词shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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