大(dà)家好，来(lái)看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式rong>存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(三角形的边长公式小学，等边三角形的边长公式zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。