绿茶通用站群绿茶通用站群

35c到底有多大,35c是多少

35c到底有多大,35c是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

35c到底有多大,35c是多少  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá),目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán),是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》,网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng),至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单,设(shè)备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

未经允许不得转载:绿茶通用站群 35c到底有多大,35c是多少

评论

5+2=