大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变绝世武魂女主角有几个，绝世武魂男主陈枫有几个女人(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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