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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对(du分压公式是什么，分压公式是什么意思ì)美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销分压公式是什么，分压公式是什么意思售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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