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踢足球可以长高个子吗,为什么踢足球的个子矮

踢足球可以长高个子吗,为什么踢足球的个子矮 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息(xī)。

  踢足球可以长高个子吗,为什么踢足球的个子矮rong>美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络(踢足球可以长高个子吗,为什么踢足球的个子矮luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查,目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)安全,是维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维踢足球可以长高个子吗,为什么踢足球的个子矮护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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