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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年感知力是一种什么能力，手机情景感知是什么意思0000; line-height: 24px;'>感知力是一种什么能力，手机情景感知是什么意思三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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