大家(jiā)好(hǎo)，来(lái)看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键(j大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么iàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施(s大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么hī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 大学所在年级怎么填写才正确，大学所在年级一栏填什么