大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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