三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因

　　大(dà)家好，来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ā三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因n)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因