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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，戴choker就是m吗，戴choker什么意思三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储戴choker就是m吗，戴choker什么意思器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外N戴choker就是m吗，戴choker什么意思AND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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