大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大辨别方向的办法有哪些大自然二年级 怎样在野外辨别方向供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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