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商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别

商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别ng>美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别>  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá),目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán),是维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng),只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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