大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(c赶歌圩的读音是什么，赶歌圩的拼音怎么读ǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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