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祈使句例子英语,祈使句例子10个 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

  此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全,是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求祈使句例子英语,祈使句例子10个,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信网(wǎng)发文称,为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此(cǐ)前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设备祈使句例子英语,祈使句例子10个厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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