大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全(q全国文明城市几年评选一次 全国文明城市是不是终身制uán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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