大(dà)家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。毛豆几月份成熟上市 毛豆是药材吗ong>为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)毛豆几月份成熟上市 毛豆是药材吗<毛豆几月份成熟上市 毛豆是药材吗/span>显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。