大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì现实中真的可以把人玩坏吗)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。现实中真的可以把人玩坏吗

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单(dā现实中真的可以把人玩坏吗n)，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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